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近日，英飞凌宣布在其现有的高压碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一个650V系列。
该产品建立在其先进的SiC沟槽技术之上。与上一代硅(Si)半导体相比，这些650V系列MOSFET的反向恢复电荷(Qrr)和漏源电荷(Qoss)降低了80%，即使在较高电流下也能实现出色的开关性能。这些降低的开关损耗允许高频、高效操作，从而能够使用更小的滤波组件，并最终提高功率密度。
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