碳化硅的应用领域有哪些？[ 11-30 16:21 ]

碳化硅的应用领域主要分为高温应用领域、加热与热交换工业领域、腐蚀环境下的应用、磨削领域、耐磨损机械领域、有色冶金领域、水泥生产领域、过滤领域、国防军工及航空航天领域、光学应用领域、半导体领域的应用、核工业领域等。而具体的应用形式主要包括以下几个方面。

常见的结构陶瓷及其应用领域盘点[ 11-04 17:18 ]

先进陶瓷按种类可分为结构陶瓷和功能陶瓷。功能陶瓷主要基于材料的特殊功能，具有电气性能、磁性、生物特性、热敏性和光学特性等特点，主要包括绝缘和介质陶瓷、铁电陶瓷、压电陶瓷、半导体及其敏感陶瓷等；结构陶瓷主要基于材料的力学和结构用途，具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、抗氧化等特点，主要用于切削工具、模具、耐磨零件、泵和阀部件、发动机部件、热交换器、生物部件和装甲装备等，主要材料有氮化硅、碳化硅、二氧化锆、碳化硼、二硼化钛、氧化铝和赛隆等。

光电储能领域中应用优势明确，碳化硅器件渗透率快速提升[ 10-15 17:03 ]

光伏、风电和储能逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，却是系统能量损耗的主要来源之一。碳化硅器件可应用于风电整流器、逆变器、变压器，降低能损和提高效率的同时可以使得质量和成本分别减少25%和50%。 储能产业链发展布局，碳化硅市场空间进一步打开。随着光电、风电等具有间接性、波动性等特点的可再生资源占比逐步提升，社会对能源稳定性提出了更高要求，储能成为解决能源波动性问题和电力系统供需匹配问题的关键，具有巨大市场潜力，碳化硅

电动车领域新应用不断出现，汽车厂商积极启用碳化硅战略[ 10-14 16:02 ]

电动汽车行业是市场空间巨大的新兴市场，随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加。 电动车规模上量800V高压快充平台，平台搭载碳化硅共同发力。随着续航问题逐渐成为电动车发展的重心，高压快充已是大势所趋，利于充电性能和整车运行效率大幅提升的800V快充平台加速布局，其研发对电机的绝缘性和耐高温性提出了较高要求，相比于已达到材料极限的硅基IGBT，碳化硅凭借其体积小、耐高温和耐高压的优势，更有利于提升空间利用率与功率效率，具有更高综合效益。 800V高压快充平台发展受重，推动汽车续航与整车效率提高

高压高功率领域优势突出，SIC功率器件市场广阔[ 10-13 17:00 ]

碳化硅功率器件替代优势明显，在高压高功率领域性能强劲。功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一，作用是实现对电能的处理、转换和控制，主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，根据科锐和应用材料公司官网数据显示，相较于硅基功率器件，碳化硅基MOSFET尺寸可以减少为同电压硅基MOSFET的十分之一，能量损耗可以减少为同开关频率硅基IGBT的30%。 SiC功率器件下游应用广泛，市场快速放量。得益于优异的能源转换效率，碳化

北方华创：SiC长晶炉设备领域龙头[ 10-12 14:26 ]

据慧博资讯公众号介绍：北方华创公司主要从事半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，是国内主流高端电子工艺装备供应商，也是重要的高精密电子元器件生产基地。经过多年的发展，公司在电子工艺装备及电子元器件领域构建了坚实的技术基础，形成了以共性核心技术为基础、产品种类多、应用领域广的平台型业务体系，打造了专业的技术和管理团队，具有较强的核心竞争能力。8寸碳化硅长晶炉已完成研发，并进入客户端，碳化硅长晶炉设备订单饱满，预计2022年出货将超500台，已成为国内主流客户的首选产品。

露笑科技：碳化硅衬底产能加速扩张[ 10-11 11:02 ]

据慧博资讯公众号介绍：露笑科技公司是国内最早研发6英寸SiC晶圆的单位之一，已掌握碳化硅单晶晶体生长、切割、研磨、抛光、清洗等整体解决技术和工艺方案。2021年，公司募投“第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目”和“和大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”，计划形成产能24万片/年生产线；2022年，公司6英寸碳化硅衬底芯片已形成销售，预计年底产能达5000片/月，2023年产能达20万片/年。

东尼电子：SiC衬底产能迅速扩张，加速国产化进程[ 10-10 17:00 ]

据慧博资讯公众号介绍：东尼电子公司从2017年开始储备研发碳化硅项目，由叶国伟博士和张忠杰博士牵头，技术由企业自主研发并已获得认可，打样送检结果良好。2021年，公司总投资4.69亿元，聚焦碳化硅半导体材料生产，计划达产12万片/年，目前已有50余台长晶炉完成安装调试，约100台长晶炉正在安装调试阶段，上述长晶炉及配套切磨抛设备全部安装完成后，预计形成6万片/年的产能。

士兰微：IDM龙头，快速上量SiC芯片生产线[ 10-09 15:57 ]

据慧博资讯公众号介绍：士兰微公司作为IDM龙头厂商，具有12英寸特色工艺产线，目前已加大SiC器件研发投入，快速上量SiC芯片生产线，大力发展车规级SiC功率半导体。2021年，公司SiC功率器件中试线通线，目前已完成车规级SiCMOSFET器件研发，即将进行客户验证并投入量产；2022年7月，公司拟投资15亿元建设SiC功率器件生产线，聚焦于新能源汽车电动模块车规级SiC功率器件生产，计划形成年产产能14.4万片6英寸SiC功率器件芯片生产线。此外，公司在厦门士兰明镓公司所建设的6英寸SiC功率器件芯片生产线预计

时代电气：奋力迈进SiC自主研发道路，高压电驱平台突破[ 10-08 14:52 ]

据慧博资讯公众号介绍：时代电器公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，掌握了具有核心自主知识产权的MOSFET芯片及SBD芯片的设计与制造技术，构建了全套特色先进碳化硅工艺技术的4英寸及6英寸兼容的专业碳化硅芯片制造平台，全电压等级MOSFET及SBD芯片产品可应用于新能源汽车、轨道交通、工业传动等多个领域。2021年，该公司推出碳化硅大功率电驱平台C-Power220；2022年4月，公司实施碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，总投资4.62亿元，将公司平面栅碳化硅MOSFET芯片技术

天岳先进：SiC衬底提升速度快，获得大规模订单，有望进入车规应用[ 10-07 16:50 ]

据慧博资讯公众号介绍：天岳先进掌握碳化硅衬底制作核心技术，批量供应下游核心客户。2021年，公司募投项目“碳化硅半导体材料项目”投入建设，聚焦6英寸导电型碳化硅衬底材料生产，计划2022年第三季度实现第一期项目投产，预计2026年达产且达产产能为30万片/年；2022年4月，公司发布公告披露公司已通过IATF16949：2019车规级认证，公司有望进入车规领域，进一步拓展碳化硅产品在汽车领域的应用市场；2022年7月，公司发布关于签订重大合同公告，公司获得约14亿元6英寸导电型碳化硅衬底产品

斯达半导：SiC车规主驱模块性能领先，加码布局碳化硅功率芯片[ 10-06 10:46 ]

据慧博资讯公众号介绍：斯达半导近期多次加码布局碳化硅功率芯片。2021年8月公司宣布投资5亿元在SiC芯片研发及产业化项目；2021年3月公司宣布投资20亿元与高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目。斯达微电子目前在600V/650V、1200V、1700V等中低压IGBT芯片已经实现国产化。拟采用先进技术和设备，实施SiC芯片研发及产业化项目，产品由企业自主研发，各项指标均达到国外同类产品技术要求，部分指标优于进口产品。公司用于新能源汽车的车规级SiC模块获国内外多家著名车企和Tier1客户的项目定点，

三安光电：最大SiC投资，IDM现有工厂叠加衬底自供布局[ 10-05 15:42 ]

据慧博资讯公众号消息：三安光电具备全国第一条碳化硅垂直整合产业链，在碳化硅下游市场取得多点突破。2019年，三安集成与美的成立第三代半导体联合实验室，聚焦GaN、SiC功率器件芯片与IPM应用电路相关研发；2020年，公司收购北电新材，拓展碳化硅衬底和外延市场；2021年，湖南三安半导体基地投产，总投资160亿元，配套6英寸碳化硅达产产能36万片/年，预计达产后实现销售额120亿元/年，2021年底产能3k片/月，预计2022年年底达产，此外，公司碳化硅MOSFET工业级产品已处于客户验证阶段，碳化硅MOSFET车

平顶山半导体产业园开建，碳化硅半导体材料核心设备正式进场[ 10-04 16:37 ]

据微电子制造公众号消息：9月28日，碳化硅半导体材料核心设备正式进场。这为碳化硅半导体材料示范线项目投产达效迈出了最关键一步。 半导体产业是国家重点支持的战略性新兴产业，碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优良性能，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率的电子器件，在光电子和微电子、5G基站、新能源汽车、光伏、风电、高铁、快充等领域有着很大应用潜力。 据介绍，碳化硅半导体材料项目投产后，将带动周边半导体品圆制造配套的上下游企业，包括石墨件深加工行业、半导体装备行

基本半导体完成数亿元C4轮融资，加速碳化硅规模产业化进程[ 10-03 10:34 ]

据新材料在线公众号消息：日前，深圳基本半导体有限公司（下文简称“基本半导体”）宣布已完成数亿元C4轮融资，本轮融资由德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，以及现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。 基本半导体表示，本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。 公开资料显示，深圳基本半导体有限公司是一家专业从事碳化硅功率器件

黄河旋风碳化硅切割专用金刚线研制成功并投放市场[ 09-30 14:18 ]

近日，河南黄河旋风股份有限公司碳化硅切割专用金刚线锯研发取得突破，经多家客户使用，其产品性能已完全达到甚至超过日本同类产品水平，不论在切割效率、切割质量还是切割稳定性，均全面优于现有砂浆切割水平。 近年来，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体产业发展迅猛，国家高度重视，企业积极布局，整个行业呈现爆发式的增长势头。碳化硅材料作为第三代半导体之一，具有优异的性能，同时也具有难加工的特点，其超高的硬脆性特点导致加工难度大、风险高、效率低、良品率不高，尤以切割为难点。目前市场上主要以金刚石砂浆切割为主，切割速度慢，效

从2英寸到8英寸 碳化硅晶片“芯”成本下降[ 09-29 16:13 ]

碳化硅器件市场增长背后，是十年来中国半导体企业从材料到装备到芯片、器件的全链条布局。 在国内最大的碳化硅材料产业基地，一张张薄薄的碳化硅晶片一字排开，这些晶片厚度不足0.5毫米，直径从2英寸、4英寸到8英寸，是先进的第三代半导体材料。 晶片的尺寸和质量，直接影响着下游的碳化硅器件的成本和性能。尺寸越大，成本就越低。十年前，中国电科旗下的这家企业对2英寸碳化硅晶片还处在研制阶段，现在，已经实现了6英寸晶片的规模化生产，年产能达到15万片，处于国内前列。今年3月，这家企业还率先发布了新一代8英寸碳化硅晶片产

从实验室样品到商用产品 核“芯”技术跑出加速度[ 09-28 17:04 ]

在江苏南京中国电科五十五所的这间展厅里，有着多种规格的碳化硅器件。它们已经在新能源车载充电装置上实现了批量应用，有了它们，新能源汽车的充电速度和整车性能都会大幅提高。 中国电子科技集团首席专家柏松接受采访时表示：新能源汽车如果用传统的第一代半导体器件，充电时间需要半个小时以上，而采用了第三代半导体碳化硅器件以后，可以实现充电10分钟行驶400公里。 柏松从事碳化硅器件的开发和应用研究已有近20年。他告诉记者，这是新能源汽车车载充电装置所需的关键元器件，2020年以前，这类器件完全依赖进口，而现在，中国电

onsemi捷克工厂将在未来两年内扩大碳化硅晶圆产能16倍[ 09-27 17:00 ]

9月21日，美国半导体供应商onsemi（安森美）宣布，其在捷克Ro?nov扩建的碳化硅工厂建成，未来两年内，该工厂的碳化硅晶圆和外延生产能力将扩大16倍。 从2019年开始，onsemi将SiC抛光晶圆和SiC外延(EPI)晶圆生产添加到其在Roznov现有的硅抛光和外延晶圆和模具制造中。去年开始重建新厂房，以进一步扩大晶圆和SiC外延制造。到目前为止，onsemi已在Roznov基地投资超过1.5亿美元，并计划追加投资3亿美元。 onsemi表示，碳化硅对于提高电动汽车(EV)、电动汽车充电和能源基

AMB陶瓷基板市场潜力巨大[ 09-26 15:55 ]

据了解，目前在AMB领域，比较领先的企业主要来自欧、日、韩，如德国的罗杰斯（RogersCorporation）、贺利氏科技集团，日本的同和控股（DOWA）、碍子株式会社（NGK）、电化株式会社（Denka）、京瓷株式会社（KYOCERACorporation）、东芝高新材料公司，韩国的KCC集团、AMOGREENTECH等。 受益于SiC新机遇，部分国际企业已在计划对AMB基板进行扩产，如东芝高新材料公司已于去年开设大分工厂，开始生产氮化硅陶瓷基板；今年2月，罗杰斯官宣布扩大德国埃申巴赫工厂AMB基板产能。