安森美利用SiC/GaN推出大功率图腾柱PFC控制器[ 04-09 09:01 ]

近日，安森美推出了全新的大功率图腾柱PFC控制器，这是一款利用图腾柱PFC技术实现高效电源的产品。 除了图腾柱PFC控制器，Onsemi还为图腾柱的评估板提供SiCMOSFET和GaNHEMT。使用Si-MOSFET用于交流线路同步整流器；利用GaNHEMT单元用于高速开关。 图腾柱PFC

英飞凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]

近日，英飞凌宣布在其现有的高压碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一个650V系列。 该产品建立在其先进的SiC沟槽技术之上。与上一代硅(Si)半导体相比，这些650V系列MOSFET的反向恢复电荷(Qrr)和漏源电荷(Qoss)降低了80%，即使在较高电流下也能实现出色的开关性能。这些降低的开关损耗允许高频、高效操作，从而能够使用更小的滤波组件，并最终提高功率密度。

AehrTestSystems宣布：收到2230万碳化硅晶圆订单[ 04-07 13:41 ]

近日，AehrTestSystems宣布，其领先的碳化硅已收到超过350万美元（2230万人民币）的订单WaferPak™全晶圆接触器的测试和老化客户，用于多种新的碳化硅器件设计以及多个碳化硅器件的批量生产能力订单，这些器件现在正在加速生产以满足电动汽车(EV)半导体的批量生产能力。 Aehr的FOX-XP系统和WaferPaks不仅支持目前大量出货的6英寸（150毫米）直径碳化硅晶圆，而且还支持未来的8英寸（200毫米）晶圆。

国星光电：SiC功率分立器件已完成多个试产订单[ 04-06 13:39 ]

近日，国星光电发布年度业绩报告，报告期内推出了SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件3大系列产品。 其中，SiC功率模块及GaN器件新品实验线已投入生产运作，可迅速响应对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品产线已投入使用，并完成了多个合作商的试产订单。同时，他们也积极布局三代半上游外延芯片领域，子公司国星半导体现已具备硅基GaN芯片相关技术储备，并积极与高校和研究所展开GaN功率器件等的研发工作，并参与了两项第三代半导体方向的省级研发项目。

恩智浦、日立合作共同加速SiC在EV中的应用[ 04-05 10:37 ]

3月21日，恩智浦官网发布公告称，他们与日立能源合作，加速在电动汽车中采用碳化硅(SiC)功率半导体模块。 该项目旨在为由恩智浦GD3160隔离式高压栅极驱动器和日立能源SiCMOSFET功率模块组成的动力总成逆变器提供更高效、可靠和功能安全的基于SiCMOSFET的解决方案。

科友碳化硅项目7月将投产[ 04-04 11:46 ]

3月26日，位于哈尔滨新区江北一体发展区的科友半导体产学研聚集区项目复工。据悉，该项目占地4.5万平方米，总投资10亿元，将打造成集技术开发、装备设计、衬底制造等在内的全产业链科技成果转化及产业化应用研究聚集区。 其一期在建的生产车间大楼于去年10月封顶，目前正在进行二次结构砌筑。预计生产车间、办公楼及展示厅7月份全部交工验收，正式投产。

三安：2025年6寸碳化硅晶圆需求达437万片[ 04-03 10:30 ]

近日，三安光电董事长特别助理、北京三安光电有限公司总经理陈昭亮演讲。陈昭亮指出，2025年全球碳化硅衬底与晶圆的情况将出现供不应求的局面，2025年6寸碳化硅晶圆需求在饱受与乐观情形下分别为219和437万片。 根据Yole预测，车用碳化硅需求占全行业的60%，其他代表性行业，光伏、储能、充电基建、电源、轨交等对碳化硅的需求占40%，由此推算，2025全球需要6寸碳化硅晶圆保守估计365万片。碳化硅产能缺口将达到123万片，在乐观情形下达到的728万片，碳化硅产能的缺口达到468万片，全球碳化硅衬底与晶圆将出

昭和电工宣布量产6英寸碳化硅晶圆片[ 04-02 10:17 ]

近期，日本ShowaDenkoKK(SDK，昭和电工)宣布已开始量产直径6英寸(150mm)的碳化硅单晶晶片(SiC晶片)，其可满足迅速增长的第三代功率半导体，特别是用于xEV、轨道车辆和工业设备的市场。 作为独立的SiC外延片供应商，SDK为功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片，全球市场占有率领先。 2018年，SDK收购新日铁住金集团（现新日铁集团）的SiC晶圆相关资产，就此致力于开发用于量产SiC晶片的技术，并且旨在提高SiC外延片质量并为其建立稳定的供应体系。SDK同时表示，多元

我国2022年1月份碳化硅出口量同比增长61.66%[ 04-01 10:13 ]

据磨料磨具公众号发布信息介绍：2022年1月份中国碳化硅出口量31,502.41公吨，去年同期为19,486.50公吨，上月为43,562.02公吨，同比增长61.66%，环比下滑27.68%。 2022年1月份中国碳化硅出口额39,122,325.00美元，去年同期为18,384,531.00美元，上月为45,103,415.00美元，同比增长112.80%，环比下滑13.26%。出口均价1,241.88美元/公吨，去年同期为943.45美元/公吨，上月为1,035.38美元/公吨。 2022年1月，

关于碳化硅市场近期走势分析[ 03-26 08:52 ]

据磨库网讯在最新一期磨友圈直播过程中，碳化硅资深人士杨荻帆，百川盈孚碳化硅行业分析师杨甜珍等业内人士分析了碳化硅一季度的市场行情及未来走势。 杨荻帆表示，近期碳化硅价格涨声一片，其上涨原因主要取决于石油焦原料价格上涨。 绿碳化硅的价格创历史新高，很多厂家呈观望状态。接下来，根据石油焦的涨势，原块价格有突破15000元/吨的可能，可能会持续到8月份，总体来说形势不容乐观。 黑碳化硅方面，目前一级块交易较多，随着石油焦的涨幅，后期慢涨的可能性比较大。 杨总说，走访山东、江苏等地区的碳化硅生厂家时

原材料价格上涨 业内多家企业宣布涨价[ 03-25 08:44 ]

据中国磨料磨具网3月23日讯，近期受原材料价格上涨影响，多家磨料磨具、超硬材料企业宣布涨价，涉及产品主要为绿碳化硅、黑碳化硅、金刚石单晶、超硬工具等。 中国磨料磨具网调研结果显示，在环保、能耗双控等因素影响下，碳化硅主要生产原料价格出现不同程度上涨，制造成本不断攀升。原材料价格上涨幅度超出业内预期，部分企业经营压力较大，只能通过涨价来缓解成本压力。 由于原材料价格的传导，市场上已经能明显感觉到涨价的氛围。随着原材料、磨料等价格的不断攀升，将会沿着产业链向下游蔓延，对制品企业和终端用户造成一定的影响。

华为猛投SiC赛道有何战略意图？[ 03-21 16:13 ]

去年9月底，华为发布了《数字能源2030》白皮书，白皮书中指出，“电力电子技术和数字技术成为驱动能源产业变革的核心技术”。更高电压、更高效率、更高功率密度代表了电力电子器件技术的发展方向。在2020年之前的50年中，硅基电力电子器件技术日益成熟，产业规模不断壮大，在能源领域发挥了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基电力电子器件性能正在接近其理论极限，难以继续支撑技术和产业快速前进的要求。进入新世纪以来，尤其是从2010年至今，诸多新兴的半导体材料凭借优越的材料特性为电力电子器件技术带来了

SiCMOSFET器件的商业化[ 03-19 15:59 ]

近20多年来，以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁带宽度，10倍于硅材料的临界击穿电场强度，3倍于硅材料的热导率，因此SiC功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合。 其中SiCMOSFET是最为成熟、应用最广的SiC功率开关器件，具有高开关速度、低损耗和耐高温等优点，被认为是替代硅IGBT的最佳选择。SiCMOSFET是一种具有绝缘栅结构的单极性器件，关断过程不存在拖尾电流，降低了开关损耗，进而减小散热器体积；并且其开关速度快，开关频率高，有利于减小变换器中电感

碳化硅功率器件相关标准立项通过[ 03-18 15:54 ]

据中国粉体网讯 近期，由江苏宏微科技有限公司、重庆大学联合牵头，泰克科技（中国）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京海瑞克科技发展有限公司、广州电网有限公司电力科学研究院等单位联合提交的《碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法》团体标准提案，经CASA标准化委员会（CASAS）管理委员会审核，根据《CASA管理和标准制修订细则》，上述团体标准提案立项通过，分配编号为：CASA024。

碳化硅半导体纳入国家“十四五”规划重点支持领域[ 03-11 15:24 ]

我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。晶片（衬底）作为碳化硅半导体产业链的基础材料，具有较高的应用前景和产业价值，在我国半导体产业发展中具有重要的战略地位。 碳化硅晶片产品尺寸越大、技术参数水平越高，其技术优势越明显，长期以来，碳化硅晶片的核心技术和市场基本被欧美发达国家垄断，这无疑突出了一个事实，即

碳化硅聚焦环陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]

随着半导体技术的发展，等离子体刻蚀逐渐成为半导体制造工艺广泛应用的技术。等离子体刻蚀产生的等离子体具有很强的腐蚀性，在刻蚀晶圆的过程中也会对工艺腔腔体和腔体内部件造成严重腐蚀，所以半导体加工设备中与等离子体接触的部件需要有较好的耐等离子体刻蚀性能。 相对于有机和金属材料，陶瓷材料一般都具有较好的耐物理和化学腐蚀性能以及很高的工作温度，因而在半导体工业中，多种陶瓷材料已成为半导体单晶硅片制造工序和前道加工工序的设备核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等离子环境中陶瓷材料的选择取决于核心

山西烁科晶体成功实现8英寸碳化硅晶体小批量量产[ 03-05 13:34 ]

近日，电科材料下属山西烁科晶体有限公司（以下简称烁科公司）成功研制出8英寸碳化硅晶体，实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。 由于碳化硅对温度及压力控制有着极其苛刻的要求，而且其本身具有的高硬度、高脆性、低断裂韧性等特点，都使得大尺寸碳化硅单晶的制备及切割成为非常棘手的问题。 烁科公司专业深耕碳化硅材料领域，经过刻苦攻关，于去年8月研制出8英寸碳化硅晶体，成功解决大尺寸单晶制备的重要难题。近日又再次取得重大突破，实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一

晶盛机电年产40万片碳化硅衬底晶片生产项目3月开工[ 03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛机电股份有限公司总投资50亿元建设的“碳化硅衬底晶片生产项目”落户宁夏银川。其中，一期预计3月开工建设，投资总额33.6亿元，一期建成达产后预计年产6英寸碳化硅晶片40万片。 晶盛机电主要围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开展业务，具备全球最大的700Kg蓝宝石生长能力。据2月7日募资投建碳化硅衬底晶片生产基地项目和年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目的公告披露，晶盛机电已组建一条从原料合成-晶体生长-切磨抛加工的中试产线，6英寸碳化硅晶片已获得客户验

中国电子科技集团公司第二研究所（电科二所）成功研制出首片碳化硅芯片[ 03-03 08:23 ]

近日，据中国日报报道，中国电子科技集团公司第二研究所（电科二所）成功研制出首片碳化硅芯片，下一步，电科二所将全力以赴推进实验室二期碳化硅芯片中试线和碳化硅器件智能封装线的建设。 2021年9月，中国电科二所承担山西太原某实验室6英寸SiC芯片整线系统集成项目，该项目要求4个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试，并研制出第一片芯片。电科二所调动资源力量，在SiC激光剥离设备研制上取得突破性进展，先后完成单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试。 碳化硅硬度极高，传统衬底加工工艺切割速度慢，晶体与切割

SiC碳化硅——功率半导体皇冠上的明珠[ 02-24 14:26 ]

在近两年技术产品发布上，“SiC碳化硅”成为所有跨国零部件供应商和主机厂的经常提起的明星产品，包括麦格纳、博格华纳、马勒、大陆集团等等，都纷纷宣称他们用了碳化硅。 例如奔驰今年初的发布的EQXX，就宣称：“搭载最大功率150kW的后桥电机，应用了碳化硅功率模块，进一步降低了损耗。” 可以想像的是，未来汽车都会电动化，那么对SiC碳化硅功率器件的需求是庞大的。市场调研咨询公司Yole发布的预测显示，从现在到2025年，碳化硅市场每年的增速将达到30%，市场规