Soitec发布8英寸SiC衬底，拓展碳化硅产品组合[ 05-12 15:30 ]

据中国粉体网讯 Soitec近日发布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圆。这标志着Soitec公司的碳化硅产品组合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圆的研发水准再创新高，可满足汽车市场不断增长的需求。 首批200mmSmartSiC™衬底诞生于Soitec与CEA-Leti合作的衬底创新中心的先进试验线，该中心位于格勒诺布尔。该批200mmSmartSiC衬底将会在关键客户中进行首轮验证，展示其质量及性能。 Soitec于2022年3月

中泰恒创携手中汇环球投入100亿美元开展碳化硅项目[ 05-11 16:26 ]

近日，中泰恒创科技有限公司与中汇环球集团有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市场”项目举行签约仪式。此次中泰恒创与中汇环球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市场方向。 据悉，中汇环球为中泰恒创提供100亿美元以上自主融合国际主权财富基金的参与和支持，主要支持中泰恒创在开发生产IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型产品，以及建立创新创业产业园。 目前，中泰恒创已落地施行的半导体项目可分为三个阶段，第一阶段收益预计100亿元，第二阶段预计580亿元，到第三阶段完成，整

中科院物理研究所成功制备单一晶型8英寸SiC晶体[ 05-10 12:22 ]

近期，中科院物理研究所在宽禁带半导体领域取得重要进展，研人员通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体。 SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成，衬底在SiC器件成本中占比高达约45%。进一步扩大SiC衬底尺寸，在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外

SiC单晶技术研发历史[ 05-06 16:22 ]

Si和SiC作为半导体材料几乎同时被提出，但由于SiC生长技术的复杂和缺陷、多型现象的存在，其发展曾一度被搁浅。SiC的发展历经了多个重要阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术的探索阶段，时间跨度从1924年发现SiC结构至1955年Lely法的提出。第二阶段是物理基本性质研究和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。在此阶段物理气相传输(PVT)生长方法基本确定、掺杂半绝缘技术被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC衬底材料。从1994年以后，随着国际上半导体照明及2英寸SiC单晶

关于取消召开2022年春季全国磨料磨具行业信息交流会的通知[ 05-05 17:07 ]

Wolfspeed,Inc位于莫霍克谷200mm SiC 制造工厂正式开业[ 05-04 08:21 ]

近期，碳化硅（SiC）技术和制造的全球引领者Wolfspeed,Inc.（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）宣布其位于美国纽约州莫霍克谷（MohawkValley）的采用领先前沿技术的SiC制造工厂正式开业。这座200mm（8英寸）晶圆工厂将助力推进诸多产业从Si基产品向SiC基半导体的转型。 据介绍，“莫霍克谷这座全自动新工厂将是全球首座且最大的200mmSiC工厂”，将提供高品质和更高良率晶圆。在莫霍克谷开发的器件对于满足Wolfspeed200+亿美元销售管道（pipelin

国际半导体行业巨头抢滩8英寸碳化硅晶圆衬底[ 05-02 08:03 ]

从目前全球市场情况来看，目前SiC半导体市场主要由Wolfspeed、英飞凌、罗姆半导体旗下SiCrystal、II－IV、新日铁住金及道康宁等国外厂商占据着。同时，根据市场的公开资料显示，这些厂商在进入6英寸生产后，在近两年来，其中一部分厂商又对其6英寸产线进行了扩产，并在积极推动SiC向8英寸发展。 在国际知名大厂中，据“三代半风向”统计，目前有7家企业能够生产8英寸SiC晶圆衬底，包括英飞凌、Wolfspeed、罗姆、II-VI、Soitec，意法半导体以及中国的烁科晶体。

第六届“郑州三磨展”将延期举办[ 04-29 13:04 ]

受新冠疫情近期发展态势影响，原定于2022年5月26-28日举办的第六届“郑州三磨展”将延期举办。具体举办时间另行通知。

韩国成立碳化硅产业联盟[ 04-27 13:53 ]

据 粉体网信息 韩媒ETNews报道，为了开发新一代功率半导体，韩国将于14日正式推出其由国内半导体企业、大学、研究所等组成的“新一代晶体工程部”，以应对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（GaO）等迅速增长的全球功率半导体市场。 该研究部门的目标是开发以碳化硅（SiC）为基础的国产功率半导体生态系统，还将培育与碳化硅半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展，并决定为应对碳化硅半导体市场的增长，组成联盟。 在该联盟中，LXSemiconductor、SKsilt

景德镇2000吨/年微纳纤维碳化硅特陶项目点火投产[ 04-26 10:05 ]

近期，位于景德镇昌南新区，专业生产微纳纤维碳化硅的三圆华鑫特种陶瓷项目正式点火投产。据悉，该项目已配置12条生产线，全部投产后，年产能将达到2000吨，到2023年，三圆华鑫公司将进一步扩大产能至5000吨。 据景德镇政府网站信息，去年12月底，广西三环集团投资的三圆华鑫特种陶瓷项目落户昌南新区。项目引进了国际先进的大型真空反应烧结窑炉和各种机加工设备，并与清华大学、景德镇陶瓷大学等先进陶瓷研发机构合作，采用国际领先的工艺和生产标准，研发生产第二代碳化硅窑具。该产品性能稳定，标准化程度高，具备高强度、高硬度、

在功率型碳化硅供应链中拥有知识产权的主要中国企业[ 04-25 14:38 ]

目前在功率型碳化硅供应链上的中国专利申请人分类情况表明，目前供应链各个环节中已存在大量拥有知识产权的中国企业。例如，在块状碳化硅领域，中国电科研究所、山东大学和中科院(上海硅酸盐研究所、物理研究所、半导体研究所)等研究机构在中国率先开展了碳化硅晶体生长的研究，并推动了国内工业企业的出现，如北京天科合达(成立于2006年)、山东天岳(成立于2010年)和河北同光晶体(成立于2012年)。 近期，一批新的初创企业从这些研究所诞生，如山西烁科晶体有限公司(中国电科)和广州南沙晶圆半导体技术有限公司(山东大学)。此外

国内外碳化硅半导体专利情况[ 04-23 13:28 ]

过去二十多年，日本企业在碳化硅专利数量上独占鳌头，三菱电机、住友电气(SumitomoElectric)、电装(Denso)、富士电机(FujiElectric)和丰田汽车(ToyotaMotor)不断推动专利发展，而中国的碳化硅专利活动自2010年代初兴起，在过去十年增长迅猛。因此，从2018年起，中国专利申请人超越了日本专利申请人，获得了碳化硅知识产权的领导地位。 另外，中国企业近几年在专利申请上持续发力、追赶国外龙头企业，而日本的专利活动从2013年起进入稳定期，反映出日本碳化硅企业达到了高度的技术成熟。&

中国电动车市场已成为主要碳化硅器件公司头号目标[ 04-22 15:23 ]

据预测，未来十年内，电动车市场将保持两位数增长。随着电动车市场渐入佳境，碳化硅(SiC)功率器件前景广阔。事实上，大多数电动车制造商正在整合或评估碳化硅功率器件在不同电动车系统中的使用，包括牵引逆变器、DC-DC转换器和车载充电器。此外，作为大规模推广电动车所必须的快充基础设施，碳化硅功率器件也是不错的选择。 据麦肯锡公司数据，中国已然是全球最大的电动车市场，从2020到2030年间，中国还将以24%的年增速保持最具活力市场的榜首。因此，中国已经成为了主要碳化硅器件公司的头号目标，例如意法半导体(STMicr

“国内碳化硅第一股”天岳先进发布上市以来的首份年报[ 04-21 17:12 ]

近期，“国内碳化硅第一股”天岳先进发布上市以来的首份年报。2021年，该公司实现营收4.94亿元，同比增长16.25%；归母净利润8995.15万元，实现扭亏为盈，较上年同期增加7.31亿元。去年销售衬底约5.7万片，产能持续提升。 资料显示，天岳先进是国内宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。今年1月12日，天岳先进正式在科创板上市，成为“国内碳化硅第一股”。 天岳先进

碳化硅功率器件市场至2027年或翻6倍[ 04-20 14:07 ]

碳化硅衬底可以分为半绝缘碳化硅衬底和低阻碳化硅衬底。近年来，随着5G产业发展势头的慢慢平稳，低阻碳化硅衬底逐渐要扛起碳化硅产业未来发展的大旗。据YOLE预测，2021年全球碳化硅功率器件的市场规模约为10.9亿美金，而到2027年全球碳化硅功率器件的市场规模将暴增至62.97亿美金，年均复合增长率约为34%。 车规级碳化硅功率器件的研发可追溯到2008年。而丰田汽车早在2014年就推出了应用碳化硅功率器件的普锐斯和凯美瑞混动车，然而真正实现大规模应用碳化硅MOSFET器件的则是车企新贵—&mdas

近30年的SiC外延系统演变[ 04-19 13:44 ]

近30年的SiC外延系统演变 Epigress热壁式SiC外延生长系统 •单晶片2”直径 •手动装载和卸载外延片 •过程手动控制 •基于硅烷(SiH4)的工艺–不含氯 •增长率限制在10微米/小时左右 Aixtron暖壁系统 •多晶片6”直径(8”) •自动加载和卸载外延片 •配方控制过程 •基于氯硅烷的工艺

士兰微：6寸SiC功率器件芯片生产线预计今年Q3通线[ 04-15 17:26 ]

近日，士兰微在接受机构调研时表示，SiC生产线目前还是中试线。公司已着手在厦门士兰明镓公司建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，预计在2022年三季度实现通线。   据了解，士兰微2022年营收主要增长点主要是IPM模块、PIM模块、MEMS传感器、AC-DC电路、DC-DC电路、手机快充芯片、PoE电路、IGBT、MOSFET、FRD等产品。士兰微表示，未来公司对集成电路板块的规划和战略的重点会放在车规和工业级电源管理产品、功率IC、信号链和混合信号处理电路、MEMS传感器等。  

碳化硅半导体市场大爆发[ 04-14 16:21 ]

据yole介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在EV主逆变器方面的需求，sic市场高速增长。 据报告，继特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新发布的EV和公告。此外，特斯拉创纪录的出货量帮助SiC器件在2021年达到10亿美元的规模。他们指出，为了满足长续航的需求，800VEV是实现快速直流充电的解决方案。这就是1200VSiC器件发挥重要作用的地方。 根据报告，截至2022年，比亚迪的Han-EV和现代的Ioniq-5通过提供快速充电功能获得了不错的销量。Nio、Xpeng等更多OEM计划

国产高端8/12英寸晶圆减薄机加速实现产业化[ 04-13 13:16 ]

北京中电科电子装备有限公司（以下简称“北京中电科”）在国家科技部和电科装备的大力支持下，依托已有晶圆减薄机技术的优势，突破了高速大扭矩减薄气浮主轴、高精度晶片减薄厚度精密控制等核心技术，成功推出了自主研发的8/12英寸全自动晶圆减薄机的产业化机型，目前已有20多台不同型号设备被用于集成电路材料加工、芯片制造、先进封装等工艺段的产品量产，获得行业客户的高度认可。随着8英寸全自动减薄机在西安封测龙头企业实现流片，12英寸全自动减薄机在国内多家大型硅片制造企业实现Inline生产，设备各项工艺指标

Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件[ 04-09 16:06 ]

近期，Microchip宣布扩展其SiC产品组合，推出业界最低导通电阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高额定电流SiCSBD。 Microchip分立产品业务部副总裁LeonGross表示：我们新的3.3kVSiC功率产品系列使客户能够轻松、快速、自信地转向高压SiC，并受益于这种令人兴奋的技术相对于基于硅设计的诸多优势。”