MIT中国博后联合通用电气研发新型多尺度多孔碳化硅陶瓷热交换器[ 06-22 14:59 ]

高温热交换器被广泛地应用在太阳能、核能发电以及混动、电动航天等领域。然而，由于苛刻的操作环境，高温热交换器往往成为整个系统的“瓶颈”。 在高温高压工作状态下，使用超临界二氧化碳替代传统的蒸汽循环，会大幅度地提升能源效率。尽管高温合金与陶瓷可承受高温、高压的负载，但在传统的热交换器设计中，使用这些材料制作高温热交换器不仅价格高、功率密度低，而且高温热交换器自身体积庞大、质量大，这些不利因素严重地制约了其在可持续能源以及电动航空的发展。 近日，美国麻省理工学院（MIT）、普渡大学以及

比亚迪等新能源车企扎堆布局碳化硅 产业迎来爆发式增长[ 06-21 11:30 ]

近期，新能源车企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相关领域投资迎来密集落地。日前，新能源汽车龙头比亚迪入股天域半导体，华为关联公司深圳哈勃科技投资也于去年入股该公司。 资料显示，天域半导体是国内第一家获得汽车质量认证（IATF16949）的碳化硅半导体材料供应链企业，目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半导体宣布完成C2轮融资，由广汽资本等机构联合投资。5月下旬，由理想汽车及三安光电共同出资组建的碳化硅车规芯片模组公司苏州斯科半导体落户苏州。 作为第三代半导体材料的

日本IDM大厂罗姆SiC功率半导体计划将产能增加6倍[ 06-20 17:27 ]

据粉体圈整理消息：近期，日本IDM大厂罗姆(Rohm)计划2025年前，要将碳化硅(SiC)功率半导体的营收扩大至1000亿日元以上。为此，罗姆最大将投资1700亿日元使碳化硅功率半导体的产能在2025年时增加至2021年时的6倍。 罗姆6月8日在日本福冈县筑后市举行碳化硅功率半导体专用生产厂房启用仪式。罗姆社长松本功表示，要以新厂房为起点，目标在2025年度成为全球市占龙头。这也是日本半导体制造商首度在日本国内建设碳化硅功率半导体的专用厂房。 据《日本经济新闻》报道，目前罗姆在全球整体功率半导体市场市

蓝海华腾、广汽资本投资基本半导体 抢滩布局碳化硅百亿市场[ 06-19 16:22 ]

6月7日,蓝海华腾、广汽资本、润峡招赢等机构完成了对国内第三代半导体碳化硅(SiC)功率器件企业——基本半导体的C2轮融资。本次投资意味着蓝海华腾加紧开拓布局第三代半导体碳化硅器件领域，通过助力基本半导体在碳化硅功率器件上的研发进度以及制造基地的建设，共同加强双方在新能源汽车市场的拓展。 公开资料显示，蓝海华腾于2016年在深交所创业板上市，是一家拥有完全自主知识产权，专业致力于新能源汽车驱动和工业自动化控制产品的研发、生产、销售以及整体方案解决的国家高新技术企业。 蓝海华腾本次

德智新材投资2.5亿半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设[ 06-17 17:19 ]

近日，在新马工业园内，湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设，并预计在明年初投产，一项“卡脖子”的高精尖技术，即将在株洲顺利实现产业化。 SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材，在半导体芯片产业链上是一种不可或缺的重要材料。SiC刻蚀环对纯度要求极高，因此只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。长期以来，围绕半导体及其配套材料的发展一直是我国生产制造中的薄弱环节，但因其技术壁垒高，长期被美

甘肃天水签20亿大单，打造碳化硅陶瓷复合产业园[ 06-10 14:54 ]

据粉体圈消息：6月1日，甘肃天水清水县政府与山东华贸控股集团举行高性能碳化硅复合材料产业园项目签约仪式。该项目预计投资20亿元，一期建设工业厂房、办公、研发中心等共计12万平方米，建设3条碳化硅生产线，氮化硅结合碳化硅复合材料及制品生产线以及石英砂矿生产线，于2023年10月份前建成投产；二期将于2025年底全部达产。 山东华贸控股集团在清水县投资建设高性能无压烧结碳化硅及氮化硅结合碳化硅高耐制品等陶瓷基复合材料产业园及配套石英砂矿项目，主要建设25万吨高性能无压烧结碳化硅材料、3万吨高性能陶瓷制品生产线、3

总投资20亿！江苏又增碳化硅项目[ 06-08 16:42 ]

前段时间，江苏扬州签约了1个碳化硅项目。但其实，当时签约的还有另一个碳化硅项目——南京宽能半导体有限公司项目。 中国江苏网近日报道称，江苏扬州在4月21日举行了“重大招商项目暨央企区域总部项目视频签约活动”，其中宽能半导体项目正式签约落户于浦口经开区，总投资为20亿元。 报道称，该项目计划投资14亿元，用于生产6吋硅基集成电路芯片及功率器件。但“三代半风向”了解后发现，该项目也将主要从事碳化硅晶圆代工。 据了解，宽能半导体成立

FreeWire 募资8.4亿 加速 SiC 充电桩部署[ 06-07 15:40 ]

4月29日，美国超快电动汽车充电和能源管理解决方案商FreeWireTechnologies完成了D轮融资，募资1.25亿美元（约8.4亿人民币），用于支持其电池集成超快EV充电技术的商业部署、并提高公司的研发、制造能力。 据介绍，FreeWire专有的电池集成充电技术BoostCharger，采用了160kWh集成锂离子电池和碳化硅开关技术，将充电基础设施、电网基础设施和能源存储打包成一个完全集成的紧凑型解决方案。 该装置提供CCS1/CCS2和CHAdeMO连接器。CCS输出为150千瓦；CHAde

碳化硅专利市场中国力量值得期待[ 06-03 17:19 ]

专利格局反映了新兴行业的新参与者进入市场之前的准备情况，可以更好地了解他们在特定技术方面的专业知识和诀窍。Knowmade化合物半导体和电子技术和专利分析师RémiComyn表示：“专利反映了一个国家或参与者在特定技术上的研发投资水平，同时也暗示了主要IP参与者达到的技术准备水平。此外，价值链上的技术覆盖率和专利组合的地理覆盖率与IP参与者的业务战略密切相关。” 尽管历史上的IP厂商（Wolfspeed、SiCrystal、II-VI）不断申请新的专利，表明其技术不断改进

多家碳化硅功率器件制造商与碳化硅晶圆供应商签署协议解决供应问题[ 06-02 17:10 ]

生长碳化硅晶体是一个漫长而困难的过程，而且制造高质量和大面积的碳化硅晶圆仍然很昂贵，因此能够提供此类晶圆的公司数量非常有限。为了缓解这两个问题，主要的碳化硅功率器件制造商都已与多家碳化硅晶圆供应商（如英飞凌与Wolfspeed和ShowaDenko、ST与Wolfspeed和SiCrystal）签署了LTSA，和/或通过收购碳化硅材料供应商实现衬底自供，采用了垂直整合模式（例如，ST收购Norstel、罗姆收购SiCrystal、安森美收购GTAT），重塑了碳化硅生态系统。 此外，越来越多的碳化硅晶圆供应商正

电动汽车推动下碳化硅现大格局[ 06-01 17:05 ]

据与非网eefocus介绍：Knowmade近日发布了一份新的碳化硅（SiC）知识产权（IP）报告，分析师选择并分析了500多个不同实体提交的13,700多个专利族（发明），从专利格局的角度对碳化硅的竞争、技术发展和进行了全面分析，涵盖碳化硅晶锭和外延、衬底到碳化硅器件、模块和电路。 YoleDédevelopement最近预测，未来几年碳化硅功率器件市场将达到数十亿美元，2027年将超过60亿美元，2021-2027年预计复合年增长率为34%。但碳化硅晶圆业务的进入壁垒非常高，目前能够为功率器

全球碳化硅外延片需求发展及外延竞争格局[ 05-31 14:59 ]

  根据Yole提供碳化硅外延片市场需求数据，现在的市场已从4英寸向6英寸转变，从2019年开始，6英寸的需求已经远超4英寸的需求。当前外延主要以4英寸及6英寸为主，往后大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增。虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程。 在全球外延厂商市场格局中，头部企业主要有Wolfspeed(Cree)、DowCorning、II-VI、Norstel、ROHM、三菱电机、Infineon等，其多数是IDM公司，CR7占据市

全球碳化硅器件市场规模及外延所占成本结构[ 05-30 15:56 ]

  根据中商产业研究院提供数据，2018年和2021年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和9.3亿美元，复合增速约32.4%，按照该复合增速，预计2022年碳化硅功率器件市场规模约10.9亿美元。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅器件市场规模增速可观。 从碳化硅器件的制造成本结构来看，衬底成本最大，占比达47%；其次是外延成本，占比为23%。这两大工序是碳化硅器件的重要组成部分。

昭和电工（SDK）实施8英寸碳化硅晶圆技术开发9年计划[ 05-27 16:39 ]

据粉体圈消息：5月23日,昭和电工（SDK）提出的“8英寸SiC晶圆技术开发计划”被日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)选定为“绿色创新基金项目”。而就在今年3月，昭和电工刚刚宣布正式量产直径6英寸(150mm)的碳化硅晶圆。 2020年10月，日本政府宣布其目标是到2050年实现碳中和。能源、贸易和工业部(METI)为此设立2万亿日元的绿色创新基金，并由NEDO出面对创新进行相应的投资。 作为独立的SiC外延片供应商，SDK为功率器件制造商提供Bes

露笑科技有望成为国产6英寸碳化硅衬底规模供应厂商[ 05-26 17:34 ]

据粉体圈消息：日前，证监会发行审核委员会通过了露笑科技拟非公开发行股票募资不超过25.67亿元的定增预案，主要用于新建碳化硅产业园及大尺寸碳化硅衬底片研发中心。 近年来我国碳化硅器件厂商的原材料供应受到较大程度的制约，下游市场尤其汽车市场对碳化硅半导体需求的走强，出现了供不应求的局面。提高碳化硅衬底材料的国产化率、实现进口替代是我国宽禁带半导体行业亟需突破的产业瓶颈。但是碳化硅衬底材料制造的技术门槛较高，国内能够向企业用户稳定供应6英寸碳化硅衬底的生产厂商相对有限。 据悉，露笑科技本次募投项目完成后将形

“三驾马车”拉动碳化硅崛起[ 05-24 16:18 ]

行业周知，新能源汽车发展十分迅猛，而且对硅芯片和碳化硅芯片需求量很大。未来，碳化硅芯片如何满足新能源汽车的需求，成为了市场关注的焦点。 随着摩尔定律的放缓，后摩尔时代对于各种新材料的导入和工艺的演进起到了很大的推动作用。业内人士徐伟指出，“技术、资金和应用市场这“三驾马车”的推动，也成为后摩尔时代最显著的特点。比如iPhone现象或者说智能手机现象，它在应用引领上是非常突出的。” 从某种意义上讲，就像碳化硅、氮化镓的这样的崛起，或者说爆发式的增长，实际上也

碳化硅芯片产业未来可期[ 05-23 17:12 ]

集微网消息，当前，汽车动力系统在发生三大变化，动力来源从内燃机演变为电动机，功率半导体材料从硅转向碳化硅，电压平台从400V升级到800V。跨入新能源汽车，为了满足大电流、高电压的需求，搭载的功率半导体也大幅提升，具体而言，碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用场景包括：主驱逆变器、OBC（车载充电器）、快速充电桩，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主电机控制器应用是大势所趋。 ST最早量产并大量应用于特斯拉，并用较低的价格抢占市场份额，以达到规模经济。在过去的几年时间里，全球碳化硅市场上相关企业动作

SiC模块可提升电动汽车功率及续航能力[ 05-21 11:48 ]

碳化硅加速性能好。宽禁带最直接的好处，有更高的击穿场强，也就是耐高压，即是可以控制更高的系统电压。高电压意味着低电流，能减少设备电阻的损耗。 对电机设计来说，也更容易在小体积下实现更高功率。 碳化硅可实现大功率及高续航。除了宽禁带带来的优势外，碳化硅还有两大优势，一个是饱和电子速度更高，一个是导热率更高、耐温性能更高。 饱和电子速度快，也就是可以通过更大的电流。碳化硅材料的电子饱和速度是硅材料的两倍，因此在设备设计时，匹配的电流强度更容易远离设备的饱和电流，也就能实现在导通状态下更低的电阻。

「一图GET」一图搞懂碳化硅——衬底篇[ 05-19 14:24 ]

 

蔚来下一代电动车将选用安森美最新SiC功率模块[ 05-18 15:07 ]

近年来，新能源汽车遭遇的技术瓶颈主要是如何进一步提升车辆的经济性。为此，全球汽车行业已向碳化硅（SiC）制成的芯片行业投资数十亿美元，皆因业界认为这类技术可以帮助他们制造高性能电动汽车。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽车创新企业蔚来（NIOInc.）为其下一代电动车（EV）选用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模块。这种以碳化硅为基础的功率模块能使电动车的续航里程更远、能效更高，加速度也更快。两家公司合作加快SiC技术商业化的进程，为市场带来配备先进半导体材料的电动车。 据悉，