碳化硅基LED照明技术普及对减少碳排放具有重要意义[ 12-16 09:33 ]

LED光电器件的核心材料碳化硅和氮化镓等第三代半导体材料技术及应用正在成为全球半导体产业新的战略高地。碳化硅LED照明设备能将原LED灯使用数量下降1/3，成本下降40～50%，而亮度却提高两倍，导热能力提高10倍以上。根据美国能源部分析，美国广泛采用LED照明技术后，可以少建133个燃煤电厂，同时减少2.58亿t温室气体的排放，其节约的电能可供给1200万个美国家庭使用一年。中国和美国能源消耗位居世界前两位，我国若普及碳化硅基LED照明技术，对减少我国煤炭的消耗、减少CO2排放具有重要意义。 鉴于碳化硅材料

碳化硅功率器件在新型输电系统应用需求[ 12-16 09:21 ]

传统电网正向以电力电子技术广泛应用为代表的智能电网方向发展，其智能、灵活、互动、兼容、高效等功能的实现依赖电网设备的智能化水平和更加优良器件的使用。新型电网要求柔性变电站柔性可控、智能调控，融合电力电子、控制保护、信息通信以及先进计算技术，实现电气隔离、电压变换、一次设备与控制保护系统融合、电能质量协调、分布式能源即插即用等多种功能的集成与优化。 基于硅的电力电子变压器在小功率电网领域实现了部分应用，但由于损耗大、体积大，在高压大功率的输电领域尚无法应用。目前商用硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）的最大击穿电压为6

碳化硅器件在新能源汽车应用[ 12-16 09:16 ]

碳化硅器件能提高纯电动汽车或混合动力汽车功率转化性能。电动汽车的电动模块中电动机是有源负载，其转速范围很宽，且在行驶过程中需要频繁地加速和减速，工作条件比一般的调速系统复杂，采用碳化硅功率器件可有效提高其驱动系统，获得更高的击穿电压、更低的开启电阻、更大的热导率以及能在更高温度下稳定工作，原来几公斤的散热片可大幅减少甚至直接删去，将引起电动汽车设计方面革命性的变化，能降低电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失20%，对大幅提高电动汽车续航里程具有重要意义。 新能源汽车有各种电能变换的需求，采用碳化硅器件能够大

碳化硅器件对充电模块性能提升[ 12-16 09:12 ]

碳化硅作为未来电动汽车充电模块和电动模块相关重要核心的先进电子材料，能实现绿色出行的能源供应、低碳、智能、可持续发展，最终抢占未来产业发展制高点。碳化硅器件对充电模块性能提升主要体现在三方面： （1）提高频率，简化供电网络； （2）降低损耗，减少温升； （3）缩小体积，提升效率。基于我们对碳化硅器件在有线充电中的优势（高效率、低温升、高密度、低损耗）分析表明，其总体成本将较低。    

碳化硅在核能领域的应用[ 12-16 09:03 ]

在核能领域，碳化硅作为第四代核反应堆—高温气冷堆的燃料棒包壳或基体材料的新型燃料元件的概念设计和制备成了核燃料元件领域一个新的热点材料。 碳化硅作为重要包壳和基体材料的各种结构新颖、功能完备的燃料元件模型不断被设计出来，目前高温气冷堆碳化硅包壳燃料元件已经开始走向商业化，其它含碳化硅材料燃料元件的研发也将加快步伐，除了燃料元件外，碳化硅材料在反应堆结构材料，堆内管道内衬等方面也有着广阔的应用前景。可以预见，随着核安全性要求的不断提高，碳化硅材料在核能领域将获得更加广泛的应用，发挥更加重要的作用。

碳化硅在新型绿色能源中发挥重要作用[ 12-16 08:52 ]

要挖矿，先买铲！可以说碳化硅正是发展新能源产业的铲子！调整能源结构，在新型绿色能源中，碳化硅能够发挥重要作用。 太阳能和风能发电系统是利用光伏电池板光生伏打效应或风力带动发电机，直接将太阳能或风能转换成电能的发电系统，它的主要部件是光伏电池组件、风轮、储能电池、控制器，逆变器，电机驱动器等构成，其特点是可靠性高、使用寿命长、不污染环境、能独立发电或并网运行，受到各国政府和企业的重视，具有广阔的发展前景。 碳化硅功率器件针对太阳能逆变器、不间断电源设备以及风能电机驱动器等大功率模组件的应用进行设计，以更小

“双碳”、碳化硅、新能源有何神秘关系?[ 12-16 08:41 ]

  碳达峰是指我国承诺2030年前，二氧化碳的排放不再增长，达到峰值之后逐步降低。     碳中和是指企业、团体或个人测算在一定时间内直接或间接产生的温室气体排放总量，然后通过植物造树造林、节能减排等形式，抵消自身产生的二氧化碳排放量，实现二氧化碳“零排放”。     全球二氧化碳排放量逐年增加，2019年全球排放量达341.7亿吨，年均复合增速2.1%。我国碳排放总量占全球碳排放总量的1/3，分别是美国和欧盟的2倍和3倍。我国人均碳

【磨协】关于召开2021年秋季全国磨料磨具行业信息交流会暨第三届中国磨料磨具行业国际技术论坛的通知[ 11-30 12:18 ]

各会员单位及行业企业：   因故延期的“2021年秋季全国磨料磨具行业信息交流会暨第三届中国磨料磨具行业国际技术论坛”，确定于2021年12月8—9日在河南省郑州市举办。本次交流会秉承交流探讨、开阔思路、加强合作、凝聚共识、推动行业高质量发展的主旨，以国际论坛的形式邀请到多位国内外知名磨企负责人及科研院所教授，聚焦行业的发展趋势、创新方向、制备工艺、绿色减排等热点问题作分析报告。   会议具体安排如下：   一、会议时间：2021年12月8

【涂协】关于召开涂附磨具分会第十一届会员代表大会暨“2021中国涂附磨具国际论坛”的通知[ 11-30 11:37 ]

  召开涂附磨具分会第十一届会员代表大会暨“2021中国涂附磨具国际论坛”的通知     各会员单位及行业企业：       因受疫情影响延期的涂附磨具分会第十一届会员代表大会暨“2021中国涂附磨具国际论坛”，定于12月21日－23日在郑州举办。现将有关事宜通知如下：01   会议内容     （一）涂附磨具分会理事会换届选举 &n

第三代半导体材料发展新方向[ 11-29 15:02 ]

众所周知，采用第三代半导体材料的目的是为了提高产品效率和功率密度。大功率产品主要是Si IGBT向SiC MOSFET发展，目前在车载应用方面已经开始全面替换，其效率的提升以及重量的减轻直接提高了电动车的续航能力。而中小功率产品是Si MOSFET向GaN HEMT发展，主要应用是数据中心电源及充电适配器。 数据中心消耗的能源大概占总发电量的10%左右，采用第三代半导体材料GaN设计的电源能够使效率提高3到5个点，从而节省全国千分之三到千分之五的电力消耗。这对于碳中和有非常重要的意义。充电适配器方面，采用氮化镓可

GaN和SiC材料的技术难点和特点[ 11-29 14:59 ]

目前，第三代半导体材料GaN和SiC已经得到了市场认可和高度关注。在功率半导体的范畴，业内人士认为，除了LED发光和射频，第三代半导体材料SiC的技术难点主要在于衬底缺陷的控制。当前低缺陷密度的衬底材料主要是欧美及日本厂商生产，国内想要突破还需要相当长的一段时间。 同时第三代半导体材料SiC工艺控制难度高、产品批次性波动大导致良率偏低以及主要材料供应被垄断，甚至推导到市场价格一直居高不下，目前只限定在部分应用市场。但相比SiC更低损耗、更高效率以及高电压耐高温等一系列自身特点而言，第三代半导体材料SiC的应用已经

工信部：将碳化硅复合材料、碳基复合材料等纳入“十四五”产业规划[ 11-29 14:37 ]

8月24日，工信部在答复政协提案中表示，工信部将进一步强化产业政策引导，将碳基材料纳入“十四五”原材料工业相关发展规划，并将碳化硅复合材料、碳基复合材料等纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划，以全面突破关键核心技术，攻克“卡脖子”品种，提高碳基新材料等产品质量，推进产业基础高级化、产业链现代化。碳化硅是第三代半导体材料之一，其介电击穿强度大约是硅的10倍，主要用于生产功率半导体器件，适用于高温、高压、高功率的场景。碳基复合材料包括碳纳米管、碳

中国磨料磨具分会秘书长等一行莅临山东鼎点平台新材料股份有限公司调研[ 05-17 20:10 ]

初夏时节的鼎点平台新材料，处处洋溢着干事创业的激情。5月13日，中国磨料磨具分会秘书长陈鹏，在副秘书长冯洁、高级顾问杨荻帆、行业部主任夏学峰、办公室主任黄凯的陪同下，莅临山东鼎点平台新材料股份有限公司考察调研。公司董事长胡尊奎等陪同。

旋流器常用的耐磨材料[ 04-11 14:59 ]

碳化硅具有比氧化铝高的硬度、耐磨性的特点，并且碳化硅的烧制方法与氧化铝相似。因碳化硅易被氧化生成SiO2，故必须在真空或在还原气氛下绕结。碳化硅的烧结温度一般在1800℃以上，成本高，限制了其在重介质旋流器上的应用。

认识晶须之王——碳化硅晶须[ 04-01 15:38 ]

 

碳化硅陶瓷的主要应用[ 09-03 08:48 ]

   近年以来高性能碳化硅陶瓷的研究与应用一直备受关注。碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，由于其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐辐照损伤能力和高温结构稳定性等优点，成为极具发展前景的结构陶瓷。因此被广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。   SiC陶瓷的应用领域

高纯碳化硅微量元素测定启用新国标[ 09-02 12:43 ]

  据中国粉体网发布相关消息获悉：2019年9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标（GB/T37254-2018）。     高纯碳化硅微量元素的测定（GB/T37254-2018）规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-OES）法和电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。     本标准适用于碳化硅质量分数含量大于或等于99.9%的高纯碳化硅材料中铝、砷、钙、铬、铜、铁、汞、钾、镁、锰、钠、镍、铅、硫、钛、

碳化硅肖特基二极管的主要优势和应用[ 08-30 16:44 ]

  碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电流，具备更好的耐高压能力。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随着温度的上升电阻也逐渐上升，这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅肖特基二极管非常适合并联实用，增加了系统的安全性和可靠性。在器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A的碳化

得碳化硅者得天下[ 08-28 10:51 ]

如果问近期哪种工业原材料最受瞩目？碳化硅材料无疑是最炙手可热的一种。以SiC碳化硅为代表的第三代半导体具有宽禁带、高热导率，高击穿场，高饱和电子漂移速率，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，因此碳化硅成为制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料。 据某企业征信机构网站资料显示，华为旗下全资子公司哈勃科技投资有限公司，近日投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%（位列第二股东）。山东天岳是一家以碳化硅晶体衬底材料生产研发为主的国内第三代半导体材料企业。该企业成立2011年12

关于召开2019年春季全国磨料磨具行业信息交流 暨第六十九届中国刚玉碳化硅交易会的通知[ 02-16 13:41 ]

  兹定于2019年3月26日-28日，在湖南长沙举办2019年春季全国磨料磨具行业信息交流暨第六十九届中国刚玉碳化硅交易会。现将有关事项通知如下：   一、会议时间：2019年3月26-28日；26日全天报到（截至时间为22点）。29号中午12点以前离开酒店   二、会议地址： 长沙湘府新都大酒店   湖南省长沙市雨花区香樟路264号     三、会议内容：   27日上午： 1、邀请国家信息中心经济预测部副主任牛