0
目前碳化硅单晶的生长方法主要包括以下三种：液相法、高温化学气相沉积法、物理气相传输法（PVT）。其中PVT法是目前SiC单晶生长研究最多、最成熟的技术，其技术难点在于：
（1）碳化硅单晶在2300°C以上高温的密闭石墨腔室内完成“固-气-固”的转化重结晶过程，生长周期长、控制难度大，易产生微管、包裹物等缺陷。
（2）碳化硅单晶包括200多种不同晶型，但生产一般仅需一种晶型，生长过程中易产生晶型转变造成多型夹杂缺陷，制备过程中单一特定晶型难以稳定控制，例如目前主流的4H型。
（3）碳化硅单晶生长热场存在温度梯度，导致晶体生长过程中存在原生内应力及由此诱生的位错、层错等缺陷。
（4）碳化硅单晶生长过程中需要严格控制外部杂质的引入，从而获得极高纯度的半绝缘晶体或定向掺杂的导电型晶体。对于射频器件使用的半绝缘碳化硅衬底，电学性能需要通过控制晶体中极低的杂质浓度及特定种类的点缺陷来实现。
下一篇：低翘曲度碳化硅晶体切割技术难点上一篇： 高纯度碳化硅生长原料合成技术
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 碳化硅、白刚玉等磨料微粉是如何进行颗粒整形？
- 大面积碳化硅陶瓷膜层化学气相沉积（CVD）技术
- 碳化硅陶瓷反应连接技术
- 高精度碳化硅陶瓷制品无模成型工艺
- 碳化硅陶瓷凝胶注模成型工艺
- 集成电路制造装备用精密陶瓷结构件的特点
- 固相烧结碳化娃(SSiC)优缺点
- 如何实现碳化硅晶圆的高效低损伤抛光？
- 一张图：碳化硅这样提纯，能行吗？
- 碳化硅耐磨陶瓷胶粘涂层技术优点
最新资讯文章
您的浏览历史
